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BCP53-6

更新时间： 2024-02-24 01:39:27

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其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管放大器
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BCP53-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

BCP53-6 数据手册

BCP 51, BCP 52, BCP 53

General Purpose Transistors

PNP

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

6.5^±0.2

3^±0.1

Power dissipation – Verlustleistung

1.3 W

1.65

Plastic case

SOT-223

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.04 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

0.7

2.3

3.25

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2, 4 = C 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BCP 51

45 V

BCP 52

60 V

BCP 53

80 V

100 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

- I_C

- I_CM

- I_BM

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

1.3 W ¹)

1 A

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Collector current – Koll.-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

1.5 A

200 mA

150ꢀC

Junction temperature – Sperrschichttemperatur T_j

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 30 V

- I_CB0

–

100 nA

10 ꢀA

I_E= 0, - V_CB= 30 V, T_j= 125ꢀC

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, - V_EB= 5 V

- I_EB0

–

100 nA

500 mV

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ²)

- I_C= 500 mA, - I_B= 50 mA

- V_CEsat

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BCP53E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCP53E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCP53F	ETC	获取价格	BCP53/SOT223/SC-73
BCP53H	NEXPERIA	获取价格	80 V, 1 A PNP medium power transistors
BCP53H-Q	NEXPERIA	获取价格	80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction
BCP53HX	ETC	获取价格	TRANS PNP 80V 1A SC73
BCP53L99Z	TI	获取价格	PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261
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