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BCP53

更新时间： 2024-01-24 22:38:33

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SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	286K
描述
PNP Silicon Medium Power Transistor

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BCP53 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-73
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	1.51	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	63
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

BCP53 数据手册

BCP53

-1A , -100V

PNP Silicon Medium Power Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

SOT-223



Collector-Emitter Voltage:V_CEO= -80V

Complementary types: BCP56 (NPN)



CLASSIFICATION OF h_{FE (2)}

BCP53-10

BCP53-16

100~250

Product-Rank

Range

Top View

C B

63~160

PACKAGE INFORMATION

Package

MPQ

LeaderSize

13’ inch

SOT-223

2.5K

Millimeter

Min. Max.

0.10

REF.

Min.

Max.

6.70

7.30

3.70

1.90

4.70

0.82

6.20

6.70

3.30

1.42

4.50

0.60

0.25

0.35

2.30 REF.

2.90

3.10

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

P_D

T_j

-100

-80

-5

-1

1.5

150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min.

-100

-80

Max.

Unit

Test Conditions

I_C= -0.1mA , I_E=0

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -1mA, I_B=0

I_E= -10μA, I_C=0

V_CB= -30V, I_E=0

V_CE= -2V, I_C= -5mA

V_CE= -2V, I_C= -150mA

V_CE= -2V, I_C= -500mA

I_C= -500mA, I_B= -50mA

V_CE= -2V, I_C= -500mA

V_CE= -5V, I_C= -10mA, f=100MHZ

-5

-100

250

(1)

DC current gain¹

(2)

(3)

Collector-emitter saturation voltage¹

Base-emitter voltage¹

Transition frequency

Note:

V_CE(sat)

V_BE(on)

f _T

-0.5

-1

MHz

100

1. Pulse Test: Pulse Width≦380us, Duty Cycle≦2%.

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

25-Jan-2011 Rev. B

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