Datasheet > BCP53-16T1

BCP53-16T1

更新时间： 2024-01-10 03:37:33

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	52K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SOT-223

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCP53-16T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-261AA
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-261AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

BCP53-16T1 数据手册

BCP53T1 Series

Preferred Devices

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio

amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package

which is designed for medium power surface mount applications.

http://onsemi.com

• High Current: 1.5 Amps

• NPN Complement is BCP56

MEDIUM POWER

HIGH CURRENT

SURFACE MOUNT

PNP TRANSISTORS

• The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow. The

formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the

possibility of damage to the die

• Available in 12 mm Tape and Reel

Use BCP53T1 to order the 7 inch/1000 unit reel.

Use BCP53T3 to order the 13 inch/4000 unit reel.

COLLECTOR 2,4

• Device Marking:

BCP53T1 = AH

BCP53–10T1 = AH–10

BCP53–16T1 = AH–16

BASE

EMITTER 3

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Value

–80

Unit

Vdc

Adc

CEO

CBO

EBO

MARKING DIAGRAM

–100

–5.0

1.5

AHxxx

SOT–223

CASE 318E

STYLE 1

Total Power Dissipation

@ T = 25°C (Note 1.)

1.5

Watts

mW/°C

AHxxx = Device Code

Derate above 25°C

xxx

= –10 or –16

Operating and Storage

Temperature Range

T , T

–65 to

+150

°C

stg

ORDERING INFORMATION

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Device

Package

SOT–223

Shipping

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

(surface mounted)

83.3

°C/W

θJA

BCP53T1

1000/Tape & Reel

BCP53–10T1

BCP53–16T1

Lead Temperature for Soldering,

0.0625″ from case

Time in Solder Bath

260

°C

Sec

1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in.

x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

November, 2000 – Rev. 2

BCP53T1/D

12 3 4

下载PDF

与BCP53-16T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCP53-16T1G	ONSEMI	PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT	获取价格
BCP53-16T3	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SOT-223	获取价格
BCP53-16T3G	ONSEMI	PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT	获取价格
BCP5316TA	DIODES	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223	获取价格
BCP53-16TA	ZETEX	Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin	获取价格
BCP53-16TA	DIODES	Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BCP53-16T1

BCP53-16T1 技术参数

BCP53-16T1 数据手册

与BCP53-16T1相关器件

与BCP53-16T1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BCP53-16T1

BCP53-16T1 技术参数

BCP53-16T1 数据手册

与BCP53-16T1相关器件

与BCP53-16T1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？