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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.06 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP5316TC | DIODES |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
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| BCP53-16TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
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| BCP53-16TF | ETC |
获取价格 |
BCP53-16T/SOT223/SC-73 |
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| BCP53-16T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction |
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| BCP53-16TX | ETC |
获取价格 |
TRANS PNP 80V 1A SOT223 |
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| BCP53-6 | ETC |
获取价格 |
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| BCP53D84Z | TI |
获取价格 |
PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261 |
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| BCP53E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BCP53E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCP53E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
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