5秒后页面跳转
BCM857DS PDF预览

BCM857DS

更新时间: 2024-09-25 04:09:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

BCM857DS 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:PLASTIC, SC-74, TSOP-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.22Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.38 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):175 MHz
Base Number Matches:1

BCM857DS 数据手册

 浏览型号BCM857DS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCM857DS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BCM857DS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BCM857DS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BCM857DS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BCM857DS的Datasheet PDF文件第7页 
Automotive small-signal  
discretes solutions  
Drive the future with our innovative portfolio  

与BCM857DS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCM857DS,115 NXP

获取价格

BCM857BV; BCM857BS; BCM857DS - PNP/PNP matched double transistors TSOP 6-Pin
BCM857DS,125 NXP

获取价格

SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCM857DS,135 NXP

获取价格

BCM857BV; BCM857BS; BCM857DS - PNP/PNP matched double transistors TSOP 6-Pin
BCM857DS,165 NXP

获取价格

SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCM857DS/T1 NXP

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSOP
BCM857DS/T2 NXP

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSOP
BCM857QAS NEXPERIA

获取价格

45 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistorsProduction
BCM857QASZ ETC

获取价格

BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
BCM-8601 BOTHHAND

获取价格

COMMON MODE CHOCK IN ONE CASE
BCM-8602 BOTHHAND

获取价格

SURFACE MOUNT COMMON MODE CHOKE