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BCF29

更新时间: 2024-11-24 22:27:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
PNP general purpose transistors

BCF29 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.29Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:32 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

BCF29 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BCF29; BCF30  
PNP general purpose transistors  
1997 May 22  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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