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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.15 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC869-10-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| BC86916 | ETC |
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Obsolete - alternative part: BCX6916 |
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| BC869-16 | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 |
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| BC869-16 | NEXPERIA |
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20 V, 2 A PNP medium power transistorProduction |
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| BC869-16 | TYSEMI |
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High current. Three current gain selections. 1.2 W total power dissipation. |
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| BC869-16 | NXP |
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PNP medium power transistor |
|
| BC869-16 | MCC |
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PNP Medium Power Transistors |
|
| BC869-16,115 | NXP |
获取价格 |
20 V, 2 A PNP medium power transistor SOT-89 3-Pin |
|
| BC869-16-T | MCC |
获取价格 |
Transistor |
|
| BC869-16T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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