BC868-16

更新时间： 2024-10-14 08:49:59

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	262K
描述
0.5W NPN Medium Power Transistors

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BC868-16 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

BC868-16 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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BC868-10/16/25

Micro Commercial Components

Features

0.5W

•

High current

Low voltage

NPN Medium

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

ꢀ

Power Transistors

ꢀ

SOT-89

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=25c, I_E=0)

5.0

---

Vdc

---

Vdc

0.1

uAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=5.0Vdc, I_C=0)

---

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3

DC Current Gain

(I_C=50mAdc, V_CE=1.0Vdc)

DC Current Gain

(I_C=1Adc, V_CE=1.0Vdc)

DC Current Gain

(I_C=5mAdc , V_CE=10Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=1Adc, I_B=100mAdc)

---

375

---

ꢀ

1. BASE

V_CE(sat)

0.5

Vdc

2. COLLECTOR

3. EMITTER

ꢀ

V_BE(on)

Base-Emitter On Voltage(1)

( I_C=5mAdc, V_CE=10Vdc )

Base-Emitter On Voltage(2)

( I_C=1dc, V_CE=1Vdc )

---

0.62

(Typ)

Vdc

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ꢆ

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

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1.55

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f_T

Transition Frequency

---

MHz

ꢉꢆ

ꢖ

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(I_C=10mAdc, V_CE=5Vdc, f=100MHZ)

.061

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REF.

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ꢆ

CLASSIFICATION OF HFE (1)

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ꢆ

Rank

Range

Marking

BC868-10

85-160

CBC

BC868-16

120-200

CCC

BC868-25

160-375

CDC

ꢆ

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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与BC868-16相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC868-16(SOT-89-3L)	CJ	获取价格	Transistor
BC868-16-CCC	ZETEX	获取价格	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BC868-16-T	MCC	获取价格	Transistor
BC868-16T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BC868-16-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BC868-16-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BC868-16-TP	MCC	获取价格	暂无描述
BC86825	ETC	获取价格	Obsolete - alternative part: BCX6825
BC868-25	NEXPERIA	获取价格	20 V, 2 A NPN medium power transistorProduction
BC868-25	NXP	获取价格	NPN medium power transistor

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