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BC868-10-T PDF预览

BC868-10-T

更新时间： 2024-10-14 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 262K
描述
Transistor

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BC868-10-T 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

BC868-10-T 数据手册

 浏览型号BC868-10-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC868-10-T的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BC868-10/16/25  
Micro Commercial Components  
Features  
0.5W  
•
•
·
High current  
Low voltage  
NPN Medium  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
ꢀ
ꢀ
Power Transistors  
·
·
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
SOT-89  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
A
B
OFF CHARACTERISTICS  
K
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc, IB=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=25c, IE=0)  
32  
20  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
---  
Vdc  
E
C
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
D
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
G
H
J
F
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3  
DC Current Gain  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=1Adc, VCE=1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=5mAdc , VCE=10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=1Adc, IB=100mAdc)  
85  
60  
50  
---  
375  
---  
---  
---  
---  
---  
ꢀ
1
2
3
ꢀ
1. BASE  
VCE(sat)  
0.5  
Vdc  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
ꢀ
VBE(on)  
VBE(on)  
Base-Emitter On Voltage(1)  
( IC=5mAdc, VCE=10Vdc )  
Base-Emitter On Voltage(2)  
( IC=1dc, VCE=1Vdc )  
---  
---  
0.62  
(Typ)  
1
Vdc  
Vdc  
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ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢇꢆ  
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ꢆ
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
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ꢒꢍꢐꢓꢆ  
1.55  
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ꢇꢇꢇꢇꢇ  
fT  
Transition Frequency  
40  
---  
MHz  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
(IC=10mAdc, VCE=5Vdc, f=100MHZ)  
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
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ꢎꢍꢒꢕꢆ  
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ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢆ
ꢆ
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Rank  
Range  
Marking  
BC868-10  
85-160  
CBC  
BC868-16  
120-200  
CCC  
BC868-25  
160-375  
CDC  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与BC868-10-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC868-10T/R NXP

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 		TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BC868-10-TAPE-13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BC868-10-TAPE-7 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BC868-10-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PL
BC86816 ETC

获取价格

 		Obsolete - alternative part: BCW66H
BC868-16 MCC

获取价格

 		0.5W NPN Medium Power Transistors
BC868-16(SOT-89-3L) CJ

获取价格

 		Transistor
BC868-16-CCC ZETEX

获取价格

 		SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BC868-16-T MCC

获取价格

 		Transistor
BC868-16T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign

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