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BC860B

更新时间： 2024-01-10 11:03:19

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TYSEMI		晶体晶体管光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
2页	89K
描述
Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 45 V).

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BC860B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.35
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	220	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz

BC860B 数据手册

SMD Type

BC859,BC860

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Low current (max. 100 mA).

Low voltage (max. 45 V).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

VEBO

I^C

BC859

-30

BC860

-50

Unit

Collector-emitter voltage

-30

-45

-5

Emitter-base voltage

-100

-200

250

150

Collector current

Peak collector current

I^CM

Peak base current

I^BM

Total power dissipation *

Junction temperature

P^tot

T^j

-65 to +150

500

Storage temperature

T^stg

Operating ambient temperature

Thermal resistance from junction to ambient *

* Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

R^amb

R^{th j-a}

K/W

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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