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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.65 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC860AWT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC860AW-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC860AW-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC860A-Z4E | ETC |
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SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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| BC860B | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain |
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| BC860B | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BC860B | FAIRCHILD |
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Switching and Amplifier Applications |
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| BC860B | TYSEMI |
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Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 45 V). |
|
| BC860B | KEXIN |
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PNP General Purpose Transistor |
|
| BC860B | NEXPERIA |
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PNP general purpose transistorsProduction |
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