是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.52 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 30 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 210 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 250 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BC858BL | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 | |
BC858BL3 | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistors | |
BC858BL3 | MCC |
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Tape&Reel: 10Kpcs/Reel; | |
BC858BL99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | |
BC858BLT1 | MOTOROLA |
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CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) | |
BC858BLT1 | LRC |
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General Purpose Transistors(PNP Silicon) | |
BC858BLT1 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors | |
BC858BLT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors(PNP Silicon) | |
BC858BLT1-TP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC | |
BC858BLT3 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors(PNP Silicon) |