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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.02 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.31 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC858AWT1G | ONSEMI |
功能相似  |
100 mA, 30V PNP Bipolar Junction Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL |
|
| BC858ALT1G | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC858-A | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| BC858A(KC858A) | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistor |
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| BC858A/E8 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
|
| BC858A/E9 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
|
| BC858A-3J | ETC |
获取价格 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
|
| BC858A-7 | DIODES |
获取价格 |
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BC858A-7-F | DIODES |
获取价格 |
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 |
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| BC858-A-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| BC858-A-AE3-R | UTC |
获取价格 |
SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
|
| BC858-A-AL3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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