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BC858A

更新时间： 2024-11-02 14:53:23

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SOT-23

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BC858A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BC858A 数据手册

BC856 SERIES

PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

POWER

330 mWatt

30/45/65 Volt

VOLTAGE

FEATURES

0.120(3.04)

0.110(2.80)

• General Purpose Amplifier Applications

• Collector Current IC = -100mA

• Complimentary (PNP) Devices : BC846/BC847/BC848/BC849

Series

• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

0.056(1.40)

0.047(1.20)

0.008(0.20)

0.003(0.08)

0.079(2.00)

0.070(1.80)

MECHANICAL DATA

0.004(0.10)

0.044(1.10)

0.035(0.90)

0.000(0.00)

Case: SOT-23

0.020(0.50)

0.013(0.35)

Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.008 grams

Marking:

Device Marking:

BC856A=56A

BC856B=56B

BC857A=57A

BC857B=57B

BC857C=57C

BC858A=58A

BC858B=58B

BC858C=58C

Top View

Collector

BC859B=59B

BC859C=59C

Collector

Base

Emitter

ABSOLUTE RATINGS

Parameter

Symbol

BC856

-65

BC857

BC858

BC859

Units

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

VCEO

VCBO

VEBO

-45

-50

-30

-80

-5

Collector Current - Continuous

Peak Collector Current

-100

-200

330

375

^oC/W

^oC

TOT

Max Power Dissipation (Note1)

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating Junction and Storage Temperature Range

RΘJA

,TSTG

-50 to 150

NOTES :

1. Transistor mounted on FR-4 board 8 cm².

October 19,2016-REV.05

PAGE . 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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