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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857C
BC857C PDF预览

BC857C

更新时间： 2024-01-23 09:06:45
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC857C 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.55Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：125
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC857C 数据手册

 浏览型号BC857C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC857C的Datasheet PDF文件第3页 
BC856A - BC858C  
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
Features  
·
·
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Complementary NPN Types Available  
(BC846-BC848)  
SOT-23  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.85  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.80  
8°  
C
·
For Switching and AF Amplifier Applications  
B
B
C
Mechanical Data  
·
·
C
TOP VIEW  
B
E
Case: SOT-23, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Pin Connections: See Diagram  
Marking Codes (See Table Below & Diagram  
on Page 3)  
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Approx. Weight: 0.008 grams  
D
D
G
E
E
H
G
H
·
·
K
M
J
J
L
K
·
·
L
M
·
·
a
All Dimensions in mm  
Marking Code (Note 2)  
Type  
Marking  
3A, K3A  
Type  
Marking  
3G, K3G  
BC856A  
BC856B  
BC857A  
BC857B  
BC857C  
BC858A  
3B, K3B  
3J, K3J, K3A, K3V  
3E, K3V, K3A  
3F, K3W, K3B  
BC858B 3K, K3K, K3B, K3W  
BC858C 3L, K3L, K3G  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
-80  
-50  
-30  
Collector-Base Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCBO  
V
-65  
-45  
-30  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCEO  
V
VEBO  
IC  
-5.0  
-100  
V
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
ICM  
Peak Collector Current  
-200  
IEM  
Peak Emitter Current  
-200  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
300  
RqJA  
Tj, TSTG  
417  
-65 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856.  
DS11207 Rev. 12 - 2  
1 of 3  
BC856A-BC858C  
123

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与BC857C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857C(KC857C) KEXIN

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 		PNP Transistor
BC857C,215 ETC

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BC857C-13-F DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC857C-3G ETC

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 		SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857C-7 DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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