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BC857C

更新时间: 2024-02-10 21:04:19
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金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
5页 1312K
描述
TRANSISTOR (PNP)

BC857C 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.55Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):125
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC857C 数据手册

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BC856A,B  
BC857A, B,C  
BC858A, B,C  
TRANSISTOR (PNP)  
FEATURES  
y
y
Ideally suited for automatic insertion  
For Switching and AF Amplifier Applications  
SOT-23  
1. BASE  
MAXIMUM RATINGS (TA=25unless otherwise noted)  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Value  
Units  
Collector-Base Voltage  
-80  
-50  
-30  
BC856  
BC857  
BC858  
V
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
-65  
-45  
BC856  
BC857  
BC858  
V
-30  
VEBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
A
Collector Current –Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
-0.1  
200  
PC  
mW  
TJ  
150  
Tstg  
Storage Temperature  
-65-150  
DEVICE MARKING  
BC856A=3A; BC856B=3B;  
BC857A=3E;BC857B=3F;BC857C=3G;  
BC858A=3J; BC858B=3K; BC858C=3L  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  

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