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BC857C

更新时间： 2024-02-03 05:52:50

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TSC		晶体晶体管光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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BC857C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857C 数据手册

BC856A,B

BC857A,B,C

RoHS

COMPLIANCE

BC858A,B,C

0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

Features

Ideally suited for automatic insertion

Epitaxial planar die construction

For switching, AF driver and amplifier

applications

Complementary PNP type available(BC846)

Qualified to AEC-Q101 standards for high

reliability

Mechanical Data

Case: SOT-23, Molded plastic

Case material: molded plastic. UL flammability

classification rating 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,

Method 208

Lead free plating

Marking & Polarity: See diagram

Weight: 0.008 gram (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings T =25 ^oC unless otherwise specified

Type Number

Symbol BC856 BC857 BC858 Units

Collector-base breakdown voltage

I_C=10uA, I_E=0

V_CBO

V_CEO

I_CM

-80

-65

-50

-45

-0.1

0.2

-5

-30

Collector-emitter breakdown voltage I_C=10mA, I_B=0

Collector current

Power dissipation (Tamb=25^oC) (Note 1)

P_CM

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10uA, I_C=0

V_CB=-70V I_E=0

V_EBO

-0.1

I_CBO

V_CB=-45V I_E=0

-0.1

V_CB=-25V I_E=0

V_CE=-60V I_B=0

V_CE=-40V I_B=0

-0.1

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=-25V I_B=0

Emitter cut-off current

V_EB=-5V I_C=0

I_EBO

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

-0.1

-0.5

-1.1

Collector-emitter saturation voltage I_C=-100mA, I_B=-5mA

Base-emitter saturation voltage I_C=-100mA, I_B=-5mA

Transition frequency V_CE=-5V I_C=-10mA f=100MHz

Operating and Storage Temperature Range

100

MHz

-55 to + 150

^oC

T_J, T_STG

Type Number

Symbol

Min

Max

Units

DC current gain BC846A,847A,848A

BC846B,847B,848B V_CE=-5V I_C=-2mA

BC847C / BC848C

125

220

420

250

475

800

H_FE(1)

DEVICE MARKING

BC856A=3A, BC856B=3B, BC857A=3E, BC857B=3F, BC857C=3G,BC858A=3J, BC858B=3K, BC858C=3L

Note 1: Transistor mounted on an FR4 Printed-circuit board.

Version: B07

12 3

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与BC857C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857C(KC857C)	KEXIN	获取价格	PNP Transistor
BC857C,215	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
BC857C,235	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
BC857C/DG/B3,215	ETC	获取价格	TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC857C/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC857C/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC857C/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3
BC857C-13-F	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC857C-3G	ETC	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857C-7	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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