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BC857BT-13

更新时间： 2024-11-30 03:51:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3

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BC857BT-13 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：220JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz

BC857BT-13 数据手册

 浏览型号BC857BT-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC857BT-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: BC847AT BC857BT BC857CT  
BC857AT, BT, CT  
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
Epitaxial Die Construction  
Complementary NPN Types Available  
(BC847AT, BT, CT)  
SOT-523  
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
A
Dim Min Max Typ  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version  
(Note 2)  
A
B
C
D
G
H
J
C
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
C
B
TOP VIEW  
Mechanical Data  
·
·
¾
¾
0.50  
Case: SOT-523  
E
B
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
·
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
K
J
M
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
K
L
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please See Ordering  
Information, Note 5, on Page 2  
L
D
M
N
a
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Weight: 0.002 grams (approx.)  
0°  
8°  
¾
Marking Codes (See Table Below & Diagrams on Page 2)  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
All Dimensions in mm  
Type  
Marking  
3V  
BC857AT  
BC857BT  
BC857CT  
3W  
3G  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-50  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
-45  
-5.0  
-100  
150  
833  
V
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30275 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
BC857AT, BT, CT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857BT216 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857BT-7 DIODES

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BC857BT-7-F DIODES

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 		PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC857BTA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC857B-TAPE-13 NXP

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BC857BTE6433 INFINEON

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BC857BTLEADFREE CENTRAL

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