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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857BLT1
BC857BLT1 PDF预览

BC857BLT1

更新时间： 2024-01-08 20:33:28
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 112K
描述
General Purpose Transistors

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BC857BLT1 数据手册

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BC856ALT1 Series  
Preferred Devices  
General Purpose  
Transistors  
PNP Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
2
A
EMITTER  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−65  
−45  
−30  
V
BC858, BC859  
3
Collector-Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
BC856  
BC857  
−80  
−50  
−30  
V
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
1
BC858, BC859  
2
−5.0  
V
Collector Current − Continuous  
I
C
−100  
mAdc  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
xxM  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
1
2
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
xx = Device Code  
M = Date Code  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 8  
BC856ALT1/D  
 
12345678

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BC857BLT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC857BLT1G ONSEMI

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BC857BLT3G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857BLT1G ONSEMI

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BC857BLT3 MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
BC857BLT3G ONSEMI

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 		Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;

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