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BC857ATR13

更新时间: 2024-11-27 18:05:23
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CENTRAL 光电二极管晶体管
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1页 103K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

BC857ATR13 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.03其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:4.5 pF
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):125JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

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