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BC857AT

更新时间: 2024-01-26 12:16:12
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
PNP general purpose transistors

BC857AT 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.55Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):125
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC857AT 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BC856T; BC857T  
PNP general purpose transistors  
1999 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jul 07  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857AT,115 NXP

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Transistor
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA S
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO
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