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BC857AS62Z

更新时间: 2024-11-27 14:36:55
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
4页 107K
描述
500mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

BC857AS62Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.55Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):125
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BC857AS62Z 数据手册

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