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BC857AR13

更新时间： 2024-02-22 15:17:57

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德欧泰克 - DIOTEC		IOT
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2页	93K
描述
Transistor

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BC857AR13 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

BC857AR13 数据手册

BC856 ... BC860

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2011-11-07

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC857

BC860

BC858

BC859

BC856

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

65 V

80 V

45 V

50 V

30 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

200 mA

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

- I_CM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 µA

Group A

Group B

Group C

H_FE

h_FE

–

150

270

–

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

Group A

Group B

Group C

H_FE

h_FE

125

220

420

180

290

520

250

475

800

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

- V_CEsat

–

300 mV

650 mV

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

- V_BEsat

–

700 mV

900 mV

–

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857ARF	TSC	获取价格	250mW, PNP Small Signal Transistor
BC857ARFG	TSC	获取价格	250mW, PNP Small Signal Transistor
BC857ARLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC857AR-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC857AR-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC857ARTR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC857ARTRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
BC857AS62Z	TI	获取价格	500mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC857AT	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC857AT	NXP	获取价格	PNP general purpose transistors

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