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BC857ALT3

更新时间: 2024-02-14 09:04:52
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摩托罗拉 - MOTOROLA 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 187K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

BC857ALT3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.28
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:4.5 pF
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):125JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:0.225 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.65 V

BC857ALT3 数据手册

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