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BC857ALT1

更新时间： 2024-11-28 22:54:03
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 208K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC857ALT1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.25Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：125最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC857ALT1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
General Purpose Transistors  
3
PNP Silicon  
COLLECTOR  
BC856ALT1, BLT1  
BC857ALT1, BLT1  
BC858ALT1, BLT1  
CLT1  
1
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
BC856  
–65  
BC857  
–45  
BC858  
–30  
Unit  
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V
–80  
–50  
–30  
V
1
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
V
2
mAdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
P D  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R θJA  
P D  
556  
Alumina Substrate, (2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
417  
T J , T stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
BC856ALT1 = 3A; BC856BLT1 = 3B; BC857ALT1 = 3E; BC857BLT1 = 3F;  
BC858ALT1 = 3J; BC858BLT1 = 3K; BC858CLT1 = 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = –10 mA)  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
– 65  
– 45  
– 30  
– 80  
– 50  
– 30  
– 80  
– 50  
– 30  
– 5.0  
– 5.0  
– 5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V (BR)CEO  
V (BR)CES  
V (BR)CBO  
v
v
v
v
—
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
—
(IC = –10 µA, VEB = 0)  
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage BC856 Series  
—
(IC = – 10 µA)  
BC857 Series  
BC858 Series  
BC856 Series  
BC857 Series,  
BC858 Series  
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
—
(IE = – 1.0 µA)  
V (BR)EBO  
—
—
Collector Cutoff Current (VCB = – 30 V)  
(VCB = – 30 V, TA = 150°C)  
– 15  
– 4.0  
nA  
I CBO  
—
µA  
1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
M5–1/5  
12345

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