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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857ALT1
BC857ALT1 PDF预览

BC857ALT1

更新时间： 2024-02-15 00:28:56
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 252K
描述
CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)

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BC857ALT1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.65
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：224490Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08Samacsys Released Date：2015-07-24 09:14:15
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：125JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC857ALT1 数据手册

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by BC856ALT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
Motorola Preferred Devices  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol BC856 BC857 BC858  
Unit  
V
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
V
–65  
–80  
–45  
–50  
–30  
–30  
CEO  
CBO  
EBO  
1
V
2
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
V
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)  
= 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
T
A
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
556  
°C/W  
JA  
D
P
Alumina Substrate, (2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BC856ALT1 = 3A; BC856BLT1 = 3B; BC857ALT1 = 3E; BC857BLT1 = 3F;  
BC857CLT1 = 3G; BC858ALT1 = 3J; BC858BLT1 = 3K; BC858CLT1 = 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mA)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–65  
–45  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = –10 µA, V  
C EB  
= 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –1.0 A)  
E
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
–5.0  
–5.0  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
Collector Cutoff Current (V  
Collector Cutoff Current (V  
= –30 V)  
= –30 V, T = 150°C)  
I
—
—
—
—
–15  
–4.0  
nA  
µA  
CB  
CB  
CBO  
A
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
12345678

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