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BC857A

更新时间： 2024-02-23 19:05:44

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SECOS		晶体晶体管光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
3页	259K
描述
BC856A

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数据手册

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BC857A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857A 数据手册

BC856A, B

BC857A, B, C

BC858A, B, C

Elektronische Bauelemente

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

FEATURES

SOT-23

Min

General Purpose Transistor PNP Type

Collect current : - 0.1A

Dim

Max

2.800 3.040

1.200 1.400

0.890 1.110

0.370 0.500

1.780 2.040

0.013 0.100

0.085 0.177

0.450 0.600

0.890 1.020

2.100 2.500

0.450 0.600

Operating Temp. : -55 C ~ +150 C

Top View

RoHS compliant product

COLLE CTOR

BAS E

E MITTE R

All Dimension in mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS˄Tamb=25ć

unless otherwise specified˅

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

BC856

BC857

BC858

BC856

BC857

BC858

-80

-50

-30

-65

-45

-30

V_CBO

Ic= -10Aˈ I_E=0

Collector-emitter breakdown voltage

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Ic= -10 mAˈ I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-5

I_E= -10 Aˈ I_C=0

BC856

BC857

BC858

BC856

BC857

BC858

V_CB= -70 V , I_E=0

V_CB= -45 V , I_E=0

-0.1

V_CB= -25 V , I_E=0

V_CE= -60 V , I_B=0

V_CE= -40 V , I_B=0

V_CE= -25 V , I_B=0

Collector cut-off current

I_CEO

I_EBO

H_FE

-0.1

Emitter cut-off current

V_EB= -5 V ,

I_C=0

DC current gain

BC856A,857A,858A

BC856B,857B,858B

BC857C,BC858C

125

220

420

250

475

800

V_CE= -5V, I_C= -2mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

_CE(sat)

_BE(sat)

I_C=-100mA, I_B= -5 mA

-0.5

-1.1

I_C= -100 mA, I_B= -5mA

V_CE= -5 V, I_C= -10mA

Transition frequency

100

MHz

f_T

f=100MHz

DEVICE MARKING

BC856A=3A; BC856B=3B; BC857A=3E; BC857B=3F; BC857C=3G; BC858A=3J; BC858B=3K; BC858C=3L

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2004 Rev. B

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与BC857A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC857A,215	ETC	TRANS PNP 45V 0.1A SOT23	获取价格
BC857A.B	ETC	Transistors	获取价格
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