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BC857

更新时间： 2024-02-06 02:39:21

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WEITRON		晶体晶体管
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描述
PNP Dual General Purpose Transistors

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BC857 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857 数据手册

BC856BDW Series

PNP Dual General Purpose Transistors

P b

Lead(Pb)-Free

PNP+PNP

SOT-363(SC-88)

Maximum Ratings

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

BC856

BC857

BC858

Unit

CEO

CBO

5.0

100

5.0

Emitter-Base Voltage

EBO

100

Collector Current-Continuous

100

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation Per Device

380

250

3.0

FR-5 Board(1)T = 25°C

mW/ °C

Derate Above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

328

+150

°C/W

°C

θJA

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to +150

°C

Note : FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062 inch

Device Marking

BC856BDW=3B , BC857BDW=3F , BC857CDW=3G , BC858BDW=3K , BC858CDW=3L

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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14-Nov-07

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与BC857相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC857,215	NXP	BC856; BC857; BC858 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin	获取价格
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BC857A	CENTRAL	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格