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BC857

更新时间： 2024-02-06 20:57:25

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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2页	42K
描述
PNP General Purpose Transistor

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BC857 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

PNP General Purpose Transistor

BC856,BC857,BC858

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Low current (max. 100 mA).

Low voltage (max. 65 V).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

BC856

-80

BC857

-50

BC858

-30

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-65

-45

-30

-5

-100

Collector current

-200

Peak collector current

I^CM

-200

Peak base current

I^BM

250

Total power dissipation *

Junction temperature

P^tot

150

T^j

-65 to +150

500

Storage temperature

Tstg

Operating ambient temperature

Thermal resistance from junction to ambient *

Ramb

Rth j-a

K/W

* Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, standard footprint.

www.kexin.com.cn

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与BC857相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC857,215	NXP	BC856; BC857; BC858 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin	获取价格
BC857,235	ETC	TRANS PNP 45V 0.1A SOT23	获取价格
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BC857/T4	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3	获取价格
BC857A	CENTRAL	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格