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BC857,235

更新时间： 2024-02-15 00:41:38

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描述
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

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BC857,235 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-236
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	0.89
Samacsys Confidence：	2	Samacsys Status：	Released
2D Presentation：	https://componentsearchengine.com/2D/0T/720385.1.1.png	Schematic Symbol：	https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=720385
PCB Footprint：	https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=720385	3D View：	https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=720385
Samacsys PartID：	720385	Samacsys Image：	https://componentsearchengine.com/Images/9/BC857,235.jpg
Samacsys Thumbnail Image：	https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/BC857,235.jpg	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Transistor BJT PNP	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT23-ren3	Samacsys Released Date：	2017-04-27 19:04:24
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC857,235 数据手册

Nexperia

BC856; BC857; BC858

65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

7 Characteristics

Table 8.ꢀCharacteristics

T_amb= 25 °C unless otherwise specified.

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

-15

-4

Unit

I_CBO

collector-base

cut-off current

V_CB= -30 V; I_E= 0

V_CB= -30 V; I_E= 0; T_j= 150 °C

V_EB= -5 V; I_C= 0

-1

μA

I_EBO

emitter-base

-100

cut-off current

h_FE

DC current gain

BC856

V_CE= -5 V; I_C= -2 mA

125

220

475

800

250

475

BC857

BC856A; BC857A

BC856B; BC857B;

BC858B

BC857C

420

800

-300

-650

V_CEsat

V_BEsat

V_BE

collector-emitter

I_C= -10 mA; I_B= -0.5 mA

I_C= -100 mA; I_B= -5 mA

-75

-250

-700

-850

-650

MHz

[1]

saturation voltage

base-emitter saturation I_C= -10 mA; I_B= -0.5 mA

voltage

I_C= -100 mA; I_B= -5 mA

base-emitter voltage

V_CE= -5 V; I_C= -2 mA

-600

-750

-820

V_CE= -5 V; I_C= -10 mA

f_T

transition frequency

collector capacitance

noise figure

V_CE= -5 V; I_C= -10 mA; f = 100 MHz

V_CB= -10 V; I_E= i_e= 0 A; f = 1 MHz

100

C_c

4.5

I_C= -200 μA; V_CE= -5 V; R_S= 2 kΩ; f

= 1 kHz; B = 200Hz

[1] pulsed; t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02

BC856_BC857_BC858

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Product data sheet

Rev. 7 — 16 April 2018

5 / 14

1 2 3 456 7 8...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC857.215	NXP	PNP general purpose transistors	获取价格
BC857/T1	ETC	TRANSISTOR SMALL SIGNAL SOT-23	获取价格
BC857/T4	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3	获取价格
BC857A	CENTRAL	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格
BC857A	TYSEMI	Ideally suited for automatic insertion, For Switching and AF Amplifier Applications	获取价格
BC857A	FAIRCHILD	PNP General Purpose Amplifier	获取价格

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