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BC857,215

更新时间: 2024-01-30 14:13:22
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恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 89K
描述
BC856; BC857; BC858 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin

BC857,215 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-236
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95Factory Lead Time:4 weeks
风险等级:0.66Samacsys Description:BC856; BC857; BC858 - PNP general purpose transistors
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):125
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.65 V

BC857,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BC856; BC857; BC858  
PNP general purpose transistors  
Product data sheet  
2004 Jan 16  
Supersedes data of 2003 Apr 09  

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