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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC856W_07 | DIOTEC |
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Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors |
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| BC856W_08 | KEC |
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USM PACKAGE |
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| BC856W_11 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors |
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| BC856WA | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-323 |
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| BC856W-A | ETC |
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BJT |
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| BC856W-B | ETC |
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BJT |
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| BC856W-BC860W | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain |
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| BC856W-Q | NEXPERIA |
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65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction |
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| BC856W-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene |
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| BC856WT/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
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