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BC856S

更新时间： 2024-11-21 14:55:47
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江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
4页 1173K
描述
SOT-363

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BC856S 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.56
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：65 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：110
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC856S 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors  
ꢆꢶꢊꢱꢺꢅꢺꢀ  
6
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)  
5
4
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
Two transistors in one package  
Reduces number of components and board space  
No mutual interference between the transistors  
1
2
ꢃ
3
ꢀ
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ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢸꢂꢁꢶ  
ꢀ
Collector- Base Voltage  
-80  
-65  
-5  
V
V
ꢸꢂꢈꢶ  
ꢸꢈꢁꢶ  
ꢏꢂꢀ  
ꢀ
ꢀ
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal ResistanceꢃꢄꢅꢆꢇꢃJunction to Ambient  
-0.1  
0.2  
625  
A
ꢦꢂ  
W
ꢌꢂꢹꢉꢀ  
ꢀ/W  
Operation Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-55~+150  
ꢀ
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V(BR)CBO IC=-10ꢀA,IE=0  
V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0  
V(BR)EBO IE=-10ꢀA,IC=0  
-80  
-65  
-5  
V
V
V
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB=-30V,IE=0  
-15  
nA  
nA  
ꢈꢭꢡꢝꢝꢚꢟꢀꢫꢗꢝꢱꢜꢬꢬꢀꢫꢗꢟꢟꢚꢘꢝꢀ ꢀ  
VEB=-5V,IC=0  
-100  
ꢵꢂꢀꢫꢗꢟꢟꢚꢘꢝꢀꢴꢔꢡꢘꢀ  
VCE=-5V,IC=-2mA  
110  
100  
IC=-10mA, IB=-0.5mA  
IC=-100mA, IB=-5mA *  
IC=-10mA, IB=-0.5mA  
VCB =-10V, f= 1MHz, IE = 0  
VCE =-5V, IC =-10mA, f= 100MHz  
-0.1  
-0.3  
V
V
ꢂꢜꢙꢙꢚꢫꢝꢜꢟꢱꢚꢭꢡꢝꢝꢚꢟꢀꢛꢔꢝꢗꢟꢔꢝꢡꢜꢘꢀꢳꢜꢙꢝꢔꢴꢚꢀ  
VCE(sat)  
ꢁꢔꢛꢚꢱꢚꢭꢡꢝꢝꢚꢟꢀꢛꢔꢝꢗꢟꢔꢝꢡꢜꢘꢀꢳꢜꢙꢝꢔꢴꢚꢀ  
ꢶꢗꢝꢪꢗꢝꢀꢂꢔꢪꢔꢫꢡꢝꢔꢘꢫꢚꢀ  
VBE(sat)  
Cobo  
fT  
0.7  
V
2.5  
pF  
MHz  
ꢂꢗꢟꢟꢚꢘꢝꢀꢑꢔꢡꢘꢱꢁꢔꢘꢢꢠꢡꢢꢝꢞꢀꢦꢟꢜꢢꢗꢫꢝꢀ  
ꢷpulse test: PWꢀ350μS, ꢁꢀ2%.  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.0  
1234

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BC856S,115 ETC

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BC856S-Q DIOTEC

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