生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.56 |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 65 V |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE): | 110 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | PNP |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BC856S,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP | |
BC856S,125 | ETC |
获取价格 |
TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP | |
BC856S_07 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Double-Transistors | |
BC856S_08 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistor Arrays | |
BC856S-6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor | |
BC856SF | ETC |
获取价格 |
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC-88 | |
BC856SH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO | |
BC856SH-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose double transistorProduction | |
BC856S-Q | DIOTEC |
获取价格 |
暂无描述 | |
BC856S-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistorProduction |