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BC856S

更新时间: 2024-11-06 14:55:47
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江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
4页 1173K
描述
SOT-363

BC856S 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.56
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:65 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):110
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BC856S 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors  
ꢆꢶꢊꢱꢺꢅꢺꢀ  
6
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)  
5
4
ꢇꢈꢉꢊꢋꢌꢈꢆꢀ  
Two transistors in one package  
Reduces number of components and board space  
No mutual interference between the transistors  
1
2
3
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ꢋꢘꢡꢝꢛ  
ꢂꢁꢶ  
Collector- Base Voltage  
-80  
-65  
-5  
V
V
ꢂꢈꢶ  
ꢈꢁꢶ  
ꢀ  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal ResistanceꢃꢄꢅꢆꢇꢃJunction to Ambient  
-0.1  
0.2  
625  
A
ꢂ  
W
ꢹꢉꢀ  
ꢀ/W  
Operation Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-55~+150  
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V(BR)CBO IC=-10ꢀA,IE=0  
V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0  
V(BR)EBO IE=-10ꢀA,IC=0  
-80  
-65  
-5  
V
V
V
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB=-30V,IE=0  
-15  
nA  
nA  
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VEB=-5V,IC=0  
-100  
ꢵꢂꢀꢫꢗꢟꢟꢚꢘꢝꢀꢴꢔꢡꢘꢀ  
VCE=-5V,IC=-2mA  
110  
100  
IC=-10mA, IB=-0.5mA  
IC=-100mA, IB=-5mA *  
IC=-10mA, IB=-0.5mA  
VCB =-10V, f= 1MHz, IE = 0  
VCE =-5V, IC =-10mA, f= 100MHz  
-0.1  
-0.3  
V
V
ꢂꢜꢙꢙꢚꢫꢝꢜꢟꢱꢚꢭꢡꢝꢝꢚꢟꢀꢛꢔꢝꢗꢟꢔꢝꢡꢜꢘꢀꢳꢜꢙꢝꢔꢴꢚꢀ  
VCE(sat)  
ꢁꢔꢛꢚꢱꢚꢭꢡꢝꢝꢚꢟꢀꢛꢔꢝꢗꢟꢔꢝꢡꢜꢘꢀꢳꢜꢙꢝꢔꢴꢚꢀ  
ꢶꢗꢝꢪꢗꢝꢀꢂꢔꢪꢔꢫꢡꢝꢔꢘꢫꢚꢀ  
VBE(sat)  
Cobo  
fT  
0.7  
V
2.5  
pF  
MHz  
ꢂꢗꢟꢟꢚꢘꢝꢀꢑꢔꢡꢘꢱꢁꢔꢘꢢꢠꢡꢢꢝꢞꢀꢦꢟꢜꢢꢗꢫꢝꢀ  
pulse test: PW350μS, 2%.  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.0  

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