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BC856BS62Z

更新时间： 2024-09-18 14:27:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 62K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BC856BS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

BC856BS62Z 数据手册

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BC856/857/858/859/860  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
•
Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits  
Low Noise: BC859, BC860  
Complement to BC846 ... BC850  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-80  
-50  
-30  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-65  
-45  
-30  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
-5  
-100  
V
EBO  
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
310  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-15  
Units  
I
V
V
= -30V, I =0  
nA  
CBO  
CB  
E
h
= -5V, I = -2mA  
110  
800  
FE  
CE  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-90  
-250  
-300  
-650  
mV  
mV  
CE  
BE  
BE  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-700  
-900  
mV  
mV  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
V
V
= -5V, I = -2mA  
-600  
-660  
-750  
-800  
mV  
mV  
CE  
CE  
C
= -5V, I = -10mA  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
150  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
V
V
= -10V, I =0, f=1MHz  
6
pF  
ob  
CB  
E
NF  
Noise Figure  
: BC856/857/858  
: BC859/860  
: BC859  
= -5V, I = -200µA  
2
1
1.2  
1.2  
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
dB  
CE  
C
f=1KHz, R =2KΩ  
G
V
= -5V, I = -200µA  
CE  
C
: BC860  
R =2KΩ, f=30~15000Hz  
2
G
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
12345

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与BC856BS62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC856BS-AU PANJIT

获取价格

 		SOT-363
BC856BSH-Q NEXPERIA

获取价格

 		65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose double transistorProduction
BC856BS-Q NEXPERIA

获取价格

 		65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistorProduction
BC856BS-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC856BS-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC856BS-TPQ2 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
BC856BT CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC856BT NXP

获取价格

 		PNP general purpose transistors
BC856BT INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon AF Transistor
BC856BT YANGJIE

获取价格

 		SOT-523

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