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BC856AW

更新时间： 2024-02-02 10:05:18

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	77K
描述
Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 65 V).

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BC856AW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC856AW 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

BC856W,BC857W,BC858W

Features

Low current (max. 100 mA).

Low voltage (max. 65 V).

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

BC856W BC857W BC858W

Unit

-80

-65

-50

-45

-30

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-5

-100

Collector current

-200

Peak collector current

I^CM

-200

Peak base current

I^BM

200

Total power dissipation

Junction temperature

P^tot

150

T^j

-65 to +150

625

Storage temperature

T^stg

Operating ambient temperature

Thermal resistance from junction to ambient

R^amb

R^{th j-a}

K/W

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

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sales@twtysemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC856AW,115	ETC	获取价格	TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
BC856AW,135	ETC	获取价格	TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
BC856AW/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC856AW_1	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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