BC856ALT3

更新时间： 2024-11-20 22:54:03

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	112K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC856ALT3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.01	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC856ALT3 数据手册

BC856ALT1 Series

Preferred Devices

General Purpose

Transistors

PNP Silicon

Features

http://onsemi.com

• Pb−Free Packages are Available

COLLECTOR

BASE

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

EMITTER

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

BC856

BC857

CEO

CBO

EBO

−65

−45

−30

BC858, BC859

Collector-Base Voltage

Emitter−Base Voltage

BC856

BC857

−80

−50

−30

SOT−23

CASE 318

STYLE 6

BC858, BC859

−5.0

Collector Current − Continuous

−100

mAdc

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

MARKING DIAGRAM

THERMAL CHARACTERISTICS

xxM

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board,

(Note 1) T = 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

xx = Device Code

M = Date Code

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

556

°C/W

Total Device Dissipation Alumina

Substrate, (Note 2) T = 25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 6 of this data sheet.

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

417

°C/W

°C

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to

+150

stg

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

June, 2004 − Rev. 8

BC856ALT1/D

12 3 4 5 6 7 8

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BC856ALT3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC856A-7-F	DIODES	类似代替	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC856ALT1G	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors PNP Silicon

与BC856ALT3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC856ALT3G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon
BC856AM	BL Galaxy Electrical	获取价格	65V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
BC856AM3	MCC	获取价格	Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;
BC856AMTF	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor
BC856AQ	DIODES	获取价格	PNP, 65V, 0.1A, SOT23
BC856AQ	YANGJIE	获取价格	SOT-23
BC856A-Q	NEXPERIA	获取价格	65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC856AQB	NEXPERIA	获取价格	65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC856AQB-Q	NEXPERIA	获取价格	65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC856AQC	NEXPERIA	获取价格	45 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction

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