是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.19 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 65 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 125 |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BC856ALT3G | ONSEMI | General Purpose Transistors PNP Silicon |
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BC856AM | Galaxy Microelectronics | 65V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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BC856AM3 | MCC | Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,; |
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BC856AMTF | FAIRCHILD | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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BC856AQ | DIODES | PNP, 65V, 0.1A, SOT23 |
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BC856AQ | YANGJIE | SOT-23 |
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