BC850BLT1

更新时间： 2024-02-10 10:18:22

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	96K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC850BLT1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	CASE 318-08, TO-236, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC850BLT1 数据手册

BC846ALT1 Series

BC846, BC847 and BC848 are Preferred Devices

General Purpose

Transistors

NPN Silicon

Features

http://onsemi.com

• Pb−Free Packages are Available

• Moisture Sensitivity Level: 1

COLLECTOR

• ESD Rating − Human Body Model: >4000 V

ESD Rating − Machine Model: >400 V

BASE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

EMITTER

Collector-Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

Vdc

BC846

BC847, BC850

BC848, BC849

Collector−Base Voltage

Vdc

BC846

BC847, BC850

BC848, BC849

Emitter−Base Voltage

SOT−23

BC846

BC847, BC850

BC848, BC849

6.0

5.0

CASE 318

STYLE 6

Collector Current − Continuous

100

mAdc

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

MARKING DIAGRAM

xxD

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board,

(Note 1)

225

= Specific Device Code

= Date Code

T = 25°C

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

556

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

Junction−to−Ambient (Note 1)

dimensions section on page 5 of this data sheet.

Total Device Dissipation

300

Alumina Substrate (Note 2)

T = 25°C

Preferred devices are recommended choices for future use

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

and best overall value.

Thermal Resistance,

417

Junction−to−Ambient (Note 2)

Junction and Storage

Temperature Range

T , T

−55 to

+150

°C

stg

1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in 99.5% alumina.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

June, 2004 − Rev. 6

BC846ALT1/D

12 3 4 5 6

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与BC850BLT1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC850BLT1G	ONSEMI	General Purpose Transistors	获取价格
BC850BLT3	ONSEMI	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN	获取价格
BC850BMTF	UTC	NPN Epitaxial Silicon Transistor	获取价格
BC850BMTF	ROCHESTER	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE PACKAGE-3	获取价格
BC850BMTF_11	FAIRCHILD	NPN Epitaxial Silicon Transistor	获取价格
BC850BR	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格

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