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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.08 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC849TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BC849W | NXP |
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NPN general purpose transistors |
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| BC849W | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistors |
|
| BC849W | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BC849W | SEMTECH |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| BC849W | PANJIT |
获取价格 |
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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| BC849W-AH | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| BC849W-B | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BC849W-C | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BC849W-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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