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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.57 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC849CD87Z | TI |
获取价格 |
NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BC849CE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| BC849CE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| BC849CE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BC849C-GS18 | VISHAY |
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Transistor, |
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| BC849CL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
|
| BC849CL99Z | TI |
获取价格 |
NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BC849CLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN |
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| BC849CLT1 | MOTOROLA |
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CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) |
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| BC849CLT1 | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
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