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BC849C-GS18 PDF预览

BC849C-GS18

更新时间： 2024-01-19 01:44:10

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	240K
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Transistor,

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BC849C-GS18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.27	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	420
JESD-609代码：	e3	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

BC849C-GS18 数据手册

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与BC849C-GS18相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC849CL	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23	获取价格
BC849CL99Z	TI	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格
BC849CLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	获取价格
BC849CLT1	MOTOROLA	CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)	获取价格
BC849CLT1	ONSEMI	General Purpose Transistors(NPN Silicon)	获取价格
BC849CLT1	LRC	General Purpose Transistors(NPN Silicon)	获取价格

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