BC848U

更新时间： 2024-02-26 12:48:23

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4页	268K
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General purpose application

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BC848U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC848U 数据手册

BC848U

NPN Silicon Transistor

Descriptions

PIN Connection

• General purpose application

• Switching application

Features

• High voltage : V_CEO=30V

• Complementary pair with BC858U

Ordering Information

SOT-323

Type NO.

Marking

Package Code

BS □ □

① ② ③

BC848U

SOT-323

①Device Code ②hFE Rank ③Year&Week Code

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

100

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CEO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Emitter breakdown voltage

Base-Emitter turn on voltage

Base-Emitter saturation voltage

Collector-Emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_C=1mA, I_B=0

V_BE(ON)

V_BE(sat)

V_CE(sat)

I_CBO

V_CE=5V, I_C=2mA

I_C=100mA, I_B=5mA

V_CB=35V, I_E=0

550

700

900

600

800

110

DC current gain

V_CE=5V, I_C=2mA

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

h_FE

Transition frequency

f_T

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

4.5

_CE=5V, I_C=200μA,

Noise figure

f=1KHz, Rg=2KΩ

* : h_FErank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800

KSD-T5D031-000

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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