5秒后页面跳转
BC848CW PDF预览

BC848CW

更新时间: 2024-02-07 01:40:27
品牌 Logo 应用领域
WEITRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 2833K
描述
General Purpose Transistor

BC848CW 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.56Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):110
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC848CW 数据手册

 浏览型号BC848CW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC848CW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC848CW的Datasheet PDF文件第4页 
BC846AW/BW  
BC847AW/BW/CW  
BC848AW/BW/CW  
General Purpose Transistor  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
3
P b  
Lead(Pb)-Free  
1
1
2
BASE  
2
EMITTER  
SOT-323(SC-70)  
Maximum Ratings (T =25°C Unlesso therwise noted)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
65  
45  
30  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
V
V
CEO  
CBO  
BC846  
BC847  
BC848  
80  
50  
30  
V
V
BC846  
BC847  
BC848  
6.0  
6.0  
5.0  
V
V
EBO  
I
Collector Current-Continuous  
100  
mA  
C
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR-5 Board (Note.1)  
TA=25°C  
Derate above 25°C  
P
150  
2.4  
mW  
mW/°C  
D
R
Thermal Resistance, Junctionto Ambient (Note.1)  
Junctionand Temperature Range  
833  
+150  
°C/W  
°C  
θJA  
T
J
Storage Temperature Range  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
Device Marking  
BC846AW=1A; BC846BW=1B; BC847AW=1E; BC847BW=1F  
BC847CW=1G; BC848AW=1J; BC848BW;=1K; BC848CW=1L  
1. FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
WEITR ON  
h ttp ://w w w . w eitr o n . co m. tw  
1/4  
Rev.B 12-Dec-06  

与BC848CW相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BC848CW-7 ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323

获取价格

BC848CW-7-F DIODES NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

获取价格

BC848CW-AU PANJIT SOT-323

获取价格

BC848CWE6327 INFINEON Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

获取价格

BC848CWE6327HTSA1 INFINEON Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

获取价格

BC848CWE6433 INFINEON Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

获取价格