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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC848CPDW1T1
BC848CPDW1T1 PDF预览

BC848CPDW1T1

更新时间： 2024-02-18 15:14:40
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 170K
描述
Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals)

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BC848CPDW1T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.99最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：4.5 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：420
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.38 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.65 V
Base Number Matches：1

BC848CPDW1T1 数据手册

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BC846BPDW1T1,  
BC847BPDW1T1 Series,  
BC848CPDW1T1 Series  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
NPN/PNP Duals (Complimentary)  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is  
designed for low power surface mount applications.  
Q
1
2
Features  
• Pb−Free Package is Available  
MAXIMUM RATINGS − NPN  
(4)  
(5)  
(6)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
45  
30  
V
MARKING  
DIAGRAM  
6
1
Collector-Base Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
80  
50  
30  
V
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 1  
d
XX  
1
Emitter−Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current − Continuous  
MAXIMUM RATINGS − PNP  
Rating  
I
100  
mAdc  
C
xx = Device Code  
= Date Code  
d
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
V
V
V
−65  
−45  
−30  
V
CEO  
CBO  
EBO  
ORDERING INFORMATION  
†
BC846  
BC847  
BC848  
−80  
−50  
−30  
V
Device  
Mark Package  
Shipping  
BC846BPDW1T1  
BB SOT−363 3000 Units/Reel  
−5.0  
V
BC847BPDW1T1  
BF  
BF  
SOT−363 3000 Units/Reel  
Collector Current − Continuous  
I
C
−100  
mAdc  
BC847BPDW1T1G  
SOT−363 3000 Units/Reel  
(Pb−Free)  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
BC847CPDW1T1  
BC848CPDW1T1  
BG SOT−363 3000 Units/Reel  
SOT−363 3000 Units/Reel  
BL  
THERMAL CHARACTERISTICS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
Per Device  
P
D
380  
250  
mW  
FR−5 Board (Note 1) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
3.0  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
328  
q
JA  
Junction and Storage Temperature  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 3  
BC846BPDW1T1/D  
 
1234567...10

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BC848CPDW1T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC848CPDW1T1G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848CPDW1T1G ONSEMI

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