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BC847W

更新时间： 2024-01-05 20:59:14

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
2页	103K
描述
Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 65 V).Collector-base voltage VCBO 80 50 30 V

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BC847W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
JESD-609代码：	e3	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

BC847W 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

BC846W,BC847W,BC848W

Features

Low current (max. 100 mA).

Low voltage (max. 65 V).

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

BC846W BC847W BC848W

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

100

Collector current

200

Peak collector current

I^CM

200

Peak base current

I^BM

200

Total power dissipation

Junction temperature

P^tot

150

T^j

-65 to +150

625

Storage temperature

T^stg

Operating ambient temperature

Thermal resistance from junction to ambient

R^amb

R^{th j-a}

K/W

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

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sales@twtysemi.com

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