BC847UA

更新时间： 2024-02-02 09:32:38

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	263K
描述
Transistor,

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BC847UA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
JESD-609代码：	e3	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

BC847UA 数据手册

BC847

NPN Silicon Transistor

Descriptions

PIN Connection

• General purpose application

• Switching application

Features

• High voltage : V_CEO=45V

• Complementary pair with BC857

SOT-23

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

RR □ □

BC847

SOT-23

① ②

③

① Device Code ② hFE Rank ③ Year&Week Code

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

100

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CEO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Emitter breakdown voltage

Base-Emitter turn on voltage

Base-Emitter saturation voltage

Collector-Emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_C=1mA, I_B=0

550

V_BE(ON)

V_BE(sat)

V_CE(sat)

I_CBO

V_CE=5V, I_C=2mA

I_C=100mA, I_B=5mA

V_CB=35V, I_E=0

700

900

600

DC current gain

V_CE=5V, I_C=2mA

110

800

h_FE

V_CE=5V, I_C=10mA

f=100MHz

Transition frequency

Collector output capacitance

Noise figure

f_T

150

MHz

C_ob

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

4.5

V_CE=5V, I_C=200μA,

f=1KHz, Rg=2KΩ

* : h_FErank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800

KSD-T5C028-000

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