5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BC847CWT1
BC847CWT1 PDF预览

BC847CWT1

更新时间： 2024-02-14 21:51:09
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 183K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

阅读下载

中文翻译

获取价格

BC847CWT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC847CWT1 数据手册

 浏览型号BC847CWT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847CWT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC847CWT1的Datasheet PDF文件第4页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
GeneralPurposeTransistors  
NPN Silicon  
BC846AWT1,BWT1  
BC847AWT1,BWT1  
CWT1  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is  
designed for low power surface mount applications.  
3
COLLECTOR  
BC848AWT1,BWT1  
CWT1  
1
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
BC846  
65  
BC847  
45  
BC848  
Unit  
V
1
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
30  
30  
2
80  
50  
V
CASE 419–02, STYLE 3  
SOT–323 /SC–70  
6.0  
6.0  
5.0  
100  
V
100  
100  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
P D  
150  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R θJA  
P D  
833  
2.4  
°C/W  
mW/°C  
°C  
Junction and Storage Temperature  
T J , T stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
BC846AWT1 = 1A; BC846BWT1 = 1B; BC847AWT1 = 1E; BC847BWT1 = 1F;  
BC847CWT1 = 1G; BC848AWT1 = 1J; BC848BWT1 = 1K; BC848CWT1 = 1L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = 10 mA)  
BC846 Series  
BC847 Series  
BC848 Series  
BC846 Series  
BC847 Series  
BC848 Series  
BC846 Series  
BC847 Series  
BC848 Series  
BC846 Series  
BC847 Series,  
BC848 Series  
65  
45  
30  
80  
50  
30  
80  
50  
30  
6.0  
6.0  
5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15  
5.0  
V (BR)CEO  
V (BR)CES  
V (BR)CBO  
v
v
v
v
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = 10 µA, VEB = 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(IC = 10 µA)  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(IE = 1.0 µA)  
V (BR)EBO  
Collector Cutoff Current (VCB = 30 V)  
nA  
I CBO  
(VCB = 30 V, TA = 150°C)  
—
µA  
1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in  
K4–1/4  
1234

中文翻译

下载PDF

与BC847CWT1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BC847CWT1G ONSEMI NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL

获取价格
BC847CWT3G ONSEMI General Purpose Transistors

获取价格
BC847CW-TAPE-13 NXP TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa

获取价格
BC847CW-TAPE-7 NXP TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa

获取价格
BC847CW-TP MCC NPN General Purpose Transistors

获取价格
BC847D87Z FAIRCHILD Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

获取价格

与BC847CWT1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证