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BC847CDXV6T1G

更新时间： 2024-01-31 22:56:08
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 91K
描述
Dual General Purpose Transistors

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BC847CDXV6T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：0.96Samacsys Description：NPN Bipolar Transistor
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：420
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz

BC847CDXV6T1G 数据手册

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BC847CDXV6T1,  
BC847CDXV6T5  
BC848CDXV6T1,  
BC848CDXV6T5  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
NPN Duals  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for  
low power surface mount applications.  
Q
1
2
(4)  
(5)  
(6)  
Features  
BC847CDXV6T1  
• These are Pb−Free Devices  
MAXIMUM RATINGS  
6
Rating  
Symbol  
BC847 BC848  
Unit  
V
1
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
45  
50  
30  
30  
V
6.0  
100  
5.0  
100  
V
SOT−563  
CASE 463A  
PLASTIC  
I
C
mAdc  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MARKING DIAGRAMS  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation, (Note 1)  
P
D
1x M G  
T = 25°C  
357  
2.9  
mW  
mW/°C  
A
G
Derate above 25°C  
1
Thermal Resistance,  
R
350  
°C/W  
q
JA  
Junction-to-Ambient (Note 1)  
1x = Device Code  
x = G or M  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
M
= Date Code  
Total Device Dissipation, (Note 1)  
P
D
G
= Pb−Free Package  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
500  
4.0  
mW  
mW/°C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance,  
R
250  
°C/W  
q
JA  
Junction-to-Ambient (Note 1)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 − Rev. 2  
BC847CDXV6T1/D  
 
12345

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BC847CDXV6T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847CDXV6T5 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistors
BC847CDXV6T1 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistors
BC847BVC-7 DIODES

功能相似

 NPN DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与BC847CDXV6T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847CDXV6T5 ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC847CDXV6T5G ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC847CE6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847CE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847CE6433 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847CE6433HTMA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847CF NXP

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 		NPN general purpose transistors
BC847CF,115 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-89, 3 PIN, BIP
BC847CF2 YANGJIE

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847CFT/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-89, 3 PIN, BIP

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