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BC847ALT1

更新时间： 2024-11-24 22:53:59

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	181K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC847ALT1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.24	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	110
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC847ALT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY,LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

BC846ALT1,BLT1

BC847ALT1,BLT1

CLT1 thru

MAXIMUM RATINGS

BC847

BC850

BC848

BC849

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

BC846

Unit

BC850BLT1,CLT1

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

6.0

5.0

100

200

Collector Current — Continuous

Collector Current(Peak value)

Emitter Current(Peak value)

Base Current(Peak value)

100

200

100

mAdc

I _CM

200

I _EM

200

I _BM

200

SOLDERING CHARACTERISTICS

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Characteristic

Symbol

265

Unit

°C

Solder Heat Resistance

Solderability

240 to 265

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

COLLECTOR

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

BASE

225

1.8

Derate above 25°C

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

EMITTER

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

BC846ALT1 = 1A; BC846BLT1 = 1B; BC847ALT1 = 1E; BC847BLT1 = 1F;

BC847CLT1 = 1G; BC848ALT1 = 1J; BC848BLT1 = 1K; BC848CLT1 = 1L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 mA)

BC846A,B

6.0

5.0

—

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

BC846A,B

V_(BR)CEO

V_(BR)CES

V_(BR)CBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 µA, V_EB= 0)

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

Collector–Base Breakdown Voltage BC846A,B

(I_C= 10 µA)

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

BC846A,B BC847A,B,C

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I_E= 1.0 µA)

BC848A,B,C, BC849B,C,

BC850B,C

V_(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V_CB= 30 V)

(V_CB= 30 V, T_A= 150°C)

—

I_CBO

—

5.0

µA

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M3–1/4

12 3 4

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与BC847ALT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847ALT1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC847ALT1THRUBC850ALT1	MOTOROLA	获取价格	NPN Silicon General Purpose Transistors
BC847ALT3	MOTOROLA	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC847ALT3	ONSEMI	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
BC847ALT3G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors
BC847AM	NXP	获取价格	NPN general purpose transistors
BC847AM	NEXPERIA	获取价格	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsProduction
BC847AM	BL Galaxy Electrical	获取价格	45V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
BC847AM,315	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT883
BC847AM3	MCC	获取价格	Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;

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