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BC846BW-7 PDF预览

BC846BW-7

更新时间： 2024-09-17 20:13:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 74K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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BC846BW-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.02最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

BC846BW-7 数据手册

 浏览型号BC846BW-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC846BW-7的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BC846AW BC846BW BC846CW BC847AW BC847BW BC847CW BC848AW BC848BW BC848CW  
BC846AW - BC848CW  
NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Complementary PNP Types Available (BC856W-BC858W)  
For Switching and AF Amplifier Applications  
SOT-323  
Min  
A
C
Dim  
A
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3)  
0.25  
B
1.15  
C
B
C
2.00  
B
E
Mechanical Data  
·
D
0.65 Nominal  
G
H
Case: SOT-323  
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
K
J
M
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
J
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
L
D
F
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe ). Please see Ordering  
Information, Note 6, on Page 2  
L
M
·
·
·
·
Pin Connections: See Diagram  
a
Marking Codes (See Table Below & Diagram on Page 2)  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
Marking Code (Note 2)  
Type  
Marking  
K1Q  
Type  
Marking  
BC846AW  
BC846BW  
BC847AW  
BC847BW  
BC847CW  
BC848AW  
BC848BW  
BC848CW  
K1M  
K1R  
K1J, K1E, K1Q  
K1K, K1F, K1R  
K1L, K1M  
K1E, K1Q  
K1F, K1R  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
80  
50  
30  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
VCBO  
V
65  
45  
30  
BC846  
BC847  
BC848  
VCEO  
V
V
6.0  
5.0  
BC846, BC847  
BC848  
VEBO  
IC  
ICM  
Collector Current  
100  
200  
200  
200  
625  
mA  
mA  
Peak Collector Current  
Peak Emitter Current  
Power Dissipation (Note 1)  
IEM  
mA  
Pd  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Current gain subgroup “C” is not available for BC846W.  
3. No purposefully added lead.  
DS30250 Rev. 6 - 2  
1 of 3  
BC846AW - BC848CW  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC846BW-7-F PANJIT

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 		NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846BW-7-F DIODES

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 		NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846BW-AQ DIOTEC

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 		SMD General Purpose NPN Transistors
BC846BW-AU PANJIT

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 		SOT-323
BC846BWE6327 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC846BWE6327HTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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