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BC846AW

更新时间: 2024-01-21 03:50:49
品牌 Logo 应用领域
WEITRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 2833K
描述
General Purpose Transistor

BC846AW 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-70包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.03Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:3 pF
集电极-发射极最大电压:65 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):110JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

BC846AW 数据手册

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BC846AW/BW  
BC847AW/BW/CW  
BC848AW/BW/CW  
General Purpose Transistor  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
3
P b  
Lead(Pb)-Free  
1
1
2
BASE  
2
EMITTER  
SOT-323(SC-70)  
Maximum Ratings (T =25°C Unlesso therwise noted)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
65  
45  
30  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
V
V
CEO  
CBO  
BC846  
BC847  
BC848  
80  
50  
30  
V
V
BC846  
BC847  
BC848  
6.0  
6.0  
5.0  
V
V
EBO  
I
Collector Current-Continuous  
100  
mA  
C
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR-5 Board (Note.1)  
TA=25°C  
Derate above 25°C  
P
150  
2.4  
mW  
mW/°C  
D
R
Thermal Resistance, Junctionto Ambient (Note.1)  
Junctionand Temperature Range  
833  
+150  
°C/W  
°C  
θJA  
T
J
Storage Temperature Range  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
Device Marking  
BC846AW=1A; BC846BW=1B; BC847AW=1E; BC847BW=1F  
BC847CW=1G; BC848AW=1J; BC848BW;=1K; BC848CW=1L  
1. FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
WEITR ON  
h ttp ://w w w . w eitr o n . co m. tw  
1/4  
Rev.B 12-Dec-06  

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